半导体设备保护用熔断体检测

咨询半导体设备保护用熔断体检验服务，上百检网。我们会为您安排半导体设备保护用熔断体检验工程师对接，沟通半导体设备保护用熔断体检验项目、标准、周期等，待方案确认后，即可开始样品检测，出具半导体设备保护用熔断体检验报告真实有效，常规周期在3-15个工作日，特殊项目需在方案制定时详细确认，欢迎咨询。

检测周期：常规3-15个工作日，可加急（特殊样品除外）

报告样式：电子版、纸质，中、英文均可。

报告资质：CMA、CNAS

半导体设备保护用熔断体检验项目：

分断能力验证,温升和耗散功率,约定不熔断电流,约定熔断电流,过载能力验证,额定电流验证,标志,尺寸,电阻,熔断器支持件的布置,绝缘性能验证,隔离适用性验证,温升与耗散功率,约定不熔断电流与约定熔断电流验证,熔断体的额定电流验证,时间-电流特性和门限验证,过载,约定电缆过载保护,指示装置和撞击器动作,截断电流特性验证,I²t特性和过电流选择性验证,外壳防护等级验证,耐热性验证,触头不变坏验证,机械强度,耐应力腐蚀龟裂验证,耐非正常的热和火验证,耐锈性验证,耐非正常热和火,耐应力腐蚀龟裂,I2t特性和过电流选择性验证,机械强度试验,动作验证,温升与耗散功率验证,绝缘性能和隔离适用性验证,耐锈性,I²t特性和过电流选择性验证,完整试验（电阻）,撞击器的动作,熔断器的尺寸,约定电缆过载试验,过载能力的验证,额定电流的验证,No.12 分断能力和动作特性,No.13 “gR”和“gS”分断能力和动作特性,No.11 分断能力和动作特性,N0.6动作特性试验,No.12a “aR”分断能力和动作特性,No.10 动作特性试验,No.1 分断能力,No.2a “aR”分断能力,N0.7动作特性试验,N0.8动作特性试验,No.2 分断能力,N0.9 动作特性试验,No.5 “gR”和“gS”分断能力,“gG”,“gM”，“gD”，和“gN”熔断体弧前I2t值和降低电压下的熔断I2t值的计算,短路功率因数的测量,截断电流-时间特性的计算,具有连接外部铜导线的无螺纹型接线端子的熔断器底座的特殊要求,截断电流特性,动作,耐热性,机械设计,额定电流,触头不变坏,熔断体的过电流选择性,温升、耗散功率,I 2t特性和过电流选择性验证,绝缘性能和隔离适用性,峰值耐受电流,防电击保护,机械选择性试验,总则,防护等级,电磁兼容性,门限,No2a “aR”分断能力,No.21 分断能力和动作特性,半导体设备保护用熔断体,时间-电流特性,约定电缆过载保护试验,指示器装置和撞击器的动作

半导体设备保护用熔断体检验流程：

1、致电131-4818-0553咨询百检客服，确认样品及需求。

2、客服安排工程师对接，根据需求制定检测方案。

3、确认方案、报价后签订合同，安排寄样检测。

4、实验室根据需求，对样品开展检测工作。

5、检测结束，出具样品检测报告。

6、如需加急请提前与工程师或客服进行沟通。

半导体设备保护用熔断体检验标准：

1、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 /8.7/8.7

2、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 8.5

3、GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016

4、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2006 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 EN 60269-4:2009+A2:2016

5、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

6、GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

7、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006(ed4.0)IEC60269-4:2009(ed5.0)EN60269-4:2009IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4AMD2:2016EN60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

8、GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1, 4.0)IEC 60269-1, 4.1)IEC 60269-1, 2014EN 60269-1-2014, GB/T13539.4-2016IEC 60269-4, 4.0)IEC 60269-4, 5.0)EN 60269-4, 2009IEC 60269-4, 5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012 低压熔断器第1部分：基本要求GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1:2006(ed4.0)IEC 60269-1:2009(ed4.1)IEC 60269-1:2014EN 60269-1-2014低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2006(ed4.0)IEC 60269-4:2009(ed5.0)EN 60269-4:2009IEC 60269-4:2012(ed5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012

9、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

10、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1-2014 低压熔断器 第1部分：基本要求低。压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

11、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012

12、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012

13、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

14、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分: 半导体设备保护用熔断体的补充要求

15、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006EN60269-4:2009EN60269-4:2012IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4:2009/AMD2:2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

16、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1:2014 低压熔断器 第1部分：基本要求低。压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

17、IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

18、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016

19、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

半导体设备保护用熔断体检验报告有什么用？

1、公司内部产品研发使用。

2、改善产品质量。

3、工业问题诊断。

4、销售使用（商超、电商、投标等）。

5、高校科研论文数据使用。

关于半导体设备保护用熔断体检验检测内容就介绍到这里。后续会安排对应工程师对接,百检第三方检测机构欢迎您的咨询，期待与您合作。